文献类型：期刊文章

作　　者：王因生[1] 陶有迁[1] 徐全胜[2] 金毓铨[1] 傅义珠[1] 丁晓明[1] 王志楠[1]

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]中国国防科技信息研究中心,北京100142

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2011

卷　　号：31

期　　号：5

起止页码：473-477

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。

关 键 词：硅微波脉冲功率管  可靠性  寿命试验  峰值结温

分 类 号：TN323.4] TN306