文献类型：期刊文章

作　　者：肖庆[1] 安玉凯[1] 李响[1] 许丽丽[1] 吴一晨[1] 段岭申[1] 刘技文[1]

机构地区：[1]天津理工大学材料科学与工程学院天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津300384

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：天津市科技计划资助项目(06TXTJJC14600)

年　　份：2011

卷　　号：22

期　　号：11

起止页码：1667-1670

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20114914584344)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明,非晶态SiO2过渡层为10～50nm时,在Si(100)衬底上制备的LiNbO3薄膜的C轴取向随着过渡层厚度的增加而变强,但当过渡层超过30nm时,对LiNbO3薄膜C轴取向的影响变小;在Si(111)衬底上制备的LiNbO3薄膜,当非晶态SiO2过渡层为10nm时,LiNbO3薄膜具高C轴取向,C轴取向的织构系数(TC)为90%,且结晶质量良好,但随着过渡层厚度增加,LiNbO3薄膜的C轴取向反而变弱。

关 键 词：磁控溅射 LiNbO3薄膜  SiO2过渡层  C轴取向

分 类 号：O484]