文献类型：期刊文章

作　　者：钟文武[1] 刘发民[1] 蔡鲁刚[1] 丁芃[1] 柳学全[2] 李一[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学物理科学与核能工程学院,微纳测控与低维物理教育部重点实验室,北京100191 [2]钢铁研究总院,北京100081

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03C116)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：11

起止页码：688-694

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000298442100109)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用水热合成法在预先生长的ZnO种子层的玻璃衬底上制备出Al和Sb共掺ZnO纳米棒有序阵列薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射分析表明:所制备的薄膜由垂直于ZnO种子层的纳米棒组成,呈单晶六角纤锌矿ZnO结构,且沿[001]方向择优生长,纳米棒的平均直径和长度分别为27.8nm和1.02μm.Al和Sb共掺ZnO纳米棒有序阵列薄膜的拉曼散射分析表明:相对于未掺杂ZnO薄膜的拉曼振动峰(580cm-1),Al和Sb共掺ZnO阵列薄膜的E1(LO)振动模式存在拉曼位移.当Al和Sb的掺杂量为3.0at%,4.0at%,5.0at%,6.0at%时,Al和Sb共掺ZnO阵列薄膜的拉曼振动峰的位移量分别为3,10,14,12cm-1.E1(LO)振动模式位移是由Al和Sb掺杂ZnO产生的缺陷引起的.室温光致发光结果表明:掺杂Al和Sb后,ZnO薄膜在545nm处的发光强度减小,在414nm处的发光强度增加.这是由于掺杂Al和Sb后,ZnO薄膜中Zni缺陷增加,Oi缺陷减少引起的.

关 键 词：Al和Sb共掺ZnO薄膜  纳米棒有序阵列  结构表征  拉曼散射

分 类 号：TB383.2[材料类]