文献类型：期刊文章

作　　者：吕静[1] 党智敏[1,2]

机构地区：[1]北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室,北京100029 [2]北京科技大学化学与生物工程学院高分子科学与工程系,北京100083

出　　处：《复合材料学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50977001;51073015)

年　　份：2011

卷　　号：28

期　　号：5

起止页码：41-45

语　　种：中文

收录情况：AJ、AMR、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20114514504182)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以原位分散聚合法制备出纳米碳化硅/聚酰亚胺(n-SiC/PI)复合薄膜,采用SEM、热机械分析仪(TMA)、阻抗分析仪和热重分析(TG)研究了所制备薄膜的表面形貌、热膨胀、介电性能及热稳定性。结果表明:SiC粒子均匀分散在PI基体中,复合薄膜的热膨胀系数(CTE)随着SiC含量的增加逐渐减小,SiC质量分数为15%时,CTE降低了11%,且复合膜的热膨胀系数实验值比较接近于Kerner公式的计算值。复合膜的介电常数和介电损耗随着填料含量的变化而变化,但始终维持在较低的范围内,并在相当大的频率范围内保持稳定。

关 键 词：聚酰亚胺 碳化硅 热膨胀系数 介电性能 热稳定性  

分 类 号：TB332[材料类] TM215.3]