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期刊文章详细信息

功率器件热阻的测量研究分析    

An Investigation of Thermal Testing and Analysis for Power MOSFET Device

  

文献类型:期刊文章

作  者:滕为荣[1,2] 居长朝[2]

机构地区:[1]苏州大学电子信息学院微电子学系,苏州215021 [2]快捷半导体(苏州)有限公司,苏州215021

出  处:《电子与封装》

年  份:2011

卷  号:11

期  号:10

起止页码:18-22

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:文章以功率器件MOSFET为例,通过电学测量方法主要研究了器件对于散热能力考量的参数热阻——Rthja和Rthjc,即器件两种不同散热方式的能力。此外还针对在热阻的测试过程中加热信号的不同方式以及周围环境中空气的流速对于热阻测试的影响进行了研究和比较。研究了在同一封装形式中,不同芯片尺寸对于热阻的影响,通过实验得到芯片大小对芯片接触性散热能力的影响关系曲线。

关 键 词:功率器件 结温 热阻 Rthja和Rthjc  热分布

分 类 号:TN305.94]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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