文献类型：期刊文章

作　　者：胡小方[1] 段书凯[1] 王丽丹[1] 李传东[2]

机构地区：[1]西南大学电子信息工程学院重庆北碚区400715 [2]重庆大学计算机学院重庆沙坪坝区400033

出　　处：《电子科技大学学报》

基　　金：国家自然科学基金(60972155,61101233,60974020);重庆市自然科学基金(CSTC2009BB2305);中央高校基本科研业务费专项(XDJK2010C023,XDJK2010B005);中国博士后科学基金(CPSF20100470116);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(09-2-011);西南大学博士科研资助项目(SWUB2008074),西南大学教育教学改革研究项目(2009JY053,2010JY070)的资助

年　　份：2011

卷　　号：40

期　　号：5

起止页码：642-647

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大规模模拟存储阵列,推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。

关 键 词：模拟存储器  交叉阵列  电荷控制模型 磁通量控制模型  忆阻器  

分 类 号：TM5]