期刊文章详细信息
Co掺杂纳米ZnO微结构的正电子湮没研究 ( EI收录)
Positron annihilation study of the microstructure of Co doped ZnO nanocrystals
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]武汉大学物理科学与技术学院核固体物理湖北省重点实验室,武汉430072
基 金:国家自然科学基金(批准号:10875088;11075120);国家自然科学基金国家基础科学人才培养基金(批准号:J0830310)资助的课题~~
年 份:2011
卷 号:60
期 号:10
起止页码:699-704
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000300718700108)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:利用正电子湮没技术研究了10at.%Co掺杂的Co3O4/ZnO纳米复合物中退火对缺陷的影响.利用X射线衍射(XRD)测量了Co3O4/ZnO纳米复合物的结构和晶粒尺寸.随着退火温度升高,Co3O4相逐步消失,ZnO晶粒尺寸也有显著增加.经过1000℃以上退火后,Co3O4相完全消失,并出现了CoO的岩盐结构.正电子湮没寿命测量显示出Co3O4/ZnO纳米复合物中存在大量的Zn空位和空位团.这些空位缺陷可能存在于纳米复合物的界面区域.当退火温度达到700℃后Zn空位开始恢复,空位团也开始收缩.900℃以上退火后,所有空位缺陷基本消失,正电子寿命接近ZnO完整晶格中的体态寿命值.符合多普勒展宽谱测量也显示Co3O4/ZnO纳米复合物经过900℃以上退火后电子动量分布与单晶ZnO基本一致,表明界面缺陷经过退火后得到消除.
关 键 词:ZNO 界面缺陷 正电子湮没
分 类 号:TB383.1[材料类]
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引证文献:
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