文献类型：期刊文章

作　　者：赵静[1] 张益军[1] 常本康[1] 熊雅娟[1] 张俊举[1] 石峰[2] 程宏昌[2] 崔东旭[3]

机构地区：[1]南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京210094 [2]微光夜视技术国防科技重点实验室.西安710065 [3]西安应用光学研究所,西安710065

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60678043);江苏省普通高校研究生科研创新计划(批准号:CX09B_096Z);南京理工大学自主科研专项计划(批准号:2010ZYTS032)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：10

起止页码：679-685

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000300718700105)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：为了探索高性能透射式GaAs光电阴极的特征结构,对光电阴极量子效率公式进行了光谱反射率与短波截止限的修正,并利用修正后的公式对ITT透射式GaAs光电阴极量子效率(≈43%)曲线进行了拟合,得到拟合相对误差小于5%时的结构参数为:窗口层Ga1-xAlxAs的厚度介于0.3—0.5μm,Al组分x值为0.7,发射层GaAs的厚度介于1.1—1.4μm.另外,根据拟合结果讨论了均匀掺杂透射式GaAs光电阴极的优化结构参数,如果光电阴极具有0.4μm厚的Ga1-xAlxAs(x=0.7)窗口层和1.1—1.5μm厚的GaAs发射层,则积分灵敏度可以达到2350μA/lm以上.

关 键 词：透射式GAAS光电阴极 量子效率 积分灵敏度 光学性能

分 类 号：O462]