文献类型：期刊文章

作　　者：段兴凯[1] 江跃珍[2] 宗崇文[1] 侯文龙[2]

机构地区：[1]九江学院机械与材料工程学院新能源材料研究中心,江西九江332005 [2]九江学院电子工程学院,江西九江332005

出　　处：《材料科学与工程学报》

基　　金：江西省教育厅科技资助项目(GJJ11625);2010九江学院大学生自主创新性实验资助项目(10XSCXXSY26)

年　　份：2011

卷　　号：29

期　　号：4

起止页码：517-520

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用瞬间蒸发技术在温度为473 K的玻璃基体上沉积了厚度为800 nm的N型Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜,并在373 K～573 K进行1小时的真空退火处理。利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和能量散射谱(EDS)分别对薄膜的物相结构、表面形貌以及化学计量比进行表征。采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度,薄膜的电阻率采用四探针法在室温下进行测量,在室温下对薄膜的Seebeck系数进行表征。霍尔系数,电子浓度和迁移率在300 K用Van der Pauw方法进行测量。退火温度为473 K时,电阻率和Seebeck系数分别为2.7 mΩ.cm和?180μV/K,热电功率因子最大值为12μW/cmK2。

关 键 词：退火温度 热电薄膜 热电性能 瞬间蒸发法  

分 类 号：TB34[材料类] TB43