文献类型：期刊文章

作　　者：汪礼胜[1] 祝霁洺[1] 陈凤翔[1]

机构地区：[1]武汉理工大学理学院物理科学与技术系,武汉430070

出　　处：《半导体光电》

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助(2010-1a-019)

年　　份：2011

卷　　号：32

期　　号：4

起止页码：478-483

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用AFORS-HET软件对TCO/nc-SiC∶H(p)/nc-Si∶H(i)/c-Si(n)/nc-Si∶H(n+)/Al异质结太阳电池进行了模拟,分别讨论了窗口层、本征层、界面态和背场对太阳电池性能参数的影响。模拟结果表明,厚度尽可能薄的p层能减少入射光及光生载流子在窗口层的损失,对应最佳的窗口层禁带宽度为1.95eV。本征层的引入主要是钝化异质结界面,降低界面态的影响,提高电池转换效率。合理的背场设计可提高电池的转换效率1.7个百分点左右,此时最佳的异质结太阳电池的性能参数为:开路电压Voc=696.1mV,短路电流密度Jsc=38.49mA/cm2,填充因子FF=83.52%,转换效率η=22.38%。

关 键 词：氢化纳米碳化硅  异质结太阳电池 优化设计 AFORS-HET  

分 类 号：TM914.4]