文献类型：期刊文章

作　　者：王超[1] 蒋晓瑜[1] 柳效辉[2]

机构地区：[1]装甲兵工程学院控制工程系,北京100072 [2]上海交通大学物理系太阳能研究所,上海200240

出　　处：《光电子．激光》

年　　份：2011

卷　　号：22

期　　号：9

起止页码：1332-1336

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20114114415103)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：基于半导体电致发光(EL)的基本理论,在理想P-N结模型条件下,定量计算正向偏压时硅太阳电池EL强度与少数载流子扩散长度的对应关系;分析了电池片中缺陷和扩散长度(EL强度)的关系,指出通过硅电池EL图像检测电池缺陷的可行性。搭建实验平台,分别拍摄单晶硅和多晶硅电池的EL图像,从中成功检测出各种缺陷;编写可视化裂纹自动检测软件,用数字图像处理相关算法检测识别EL图像中的缺陷,为太阳电池的流水线自动检测提供一种快速、准确的方法。

关 键 词：硅电池 微小缺陷  电致发光(EL)  扩散长度  图像处理

分 类 号：O472]