文献类型：期刊文章

作　　者：李顺江[1] 代武春[1]

机构地区：[1]重庆文理学院物理系,重庆永川402160

出　　处：《重庆文理学院学报（自然科学版）》

基　　金：重庆文理学院自然科学研究项目(Y2009SW69)

年　　份：2011

卷　　号：30

期　　号：4

起止页码：37-41

语　　种：中文

收录情况：JST、普通刊

摘　　要：基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似(GGA)研究20面体(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道(HOMO)、最低未占据轨道(LUMO)及其能隙,分析了(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO与LUMO间的能隙随掺杂原子掺杂位置、带电情况不同的变化.研究表明,具有Ih对称性结构的荷电团簇更稳定,统除Ih对称性结构(Ga)12B1+荷电团簇有磁性外,其它均无磁性.

关 键 词：(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇  密度泛函  电子结构 磁性

分 类 号：O651]