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SiC埋层的红外吸收特性研究
Study of Infrared Absorption Properties of Buried SiC Layers
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]辽宁大学电子系 [2]中国人民解放军38611部队
年 份：1999
卷 号：26
期 号：4
起止页码：349-351
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、MR、RCCSE、普通刊
摘 要：在较低衬底温度下，用离子合成技术对单晶Ｓｉ 衬底进行高能Ｃ＋ 离子注入，可获得含有ＳｉＣ 的埋层，经高温退火形成βＳｉＣ 颗粒沉淀．通过傅里叶红外吸收谱（ＦＴＩＲ） 对其研究分析，表明埋层中αＳｉ 和βＳｉ 共存，且有一含量最高区．
关 键 词：碳化硅 离子注入 红外吸收光谱 半导体 FTIR
分 类 号：TN304.24]
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