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期刊文章详细信息

Ce_3Rh_2X_2(X=Ga,Ge)的磁性模拟和晶场效应研究    

Magnetism simulation and crystalline electric field effect of Ce_3Rh_2X_2(X=Ga,Ge)

  

文献类型:期刊文章

作  者:路莹[1] 刘伟[2]

机构地区:[1]洛阳师范学院物理系,河南洛阳471022 [2]安阳工学院软件学院,河南安阳455000

出  处:《磁性材料及器件》

基  金:河南省教育厅基金资助项目(2009B590001;2010B140010)

年  份:2011

卷  号:42

期  号:4

起止页码:23-25

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2008、CSCD、CSCD_E2011_2012、核心刊

摘  要:根据晶场理论,通过对Kaczorowski研究小组磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh2Ge2的晶场分裂能和相应波函数,它们的第一激发能和总激发能分别为3.62 meV,39.0meV和11.7 meV,61.5meV。计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除,得到了Kramers双重态,模拟得到的化合物的磁化率倒数与温度关系曲线与实验曲线吻合很好,为进一步研究Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh2Ge2的磁结构提供了参考。

关 键 词:Ce3Rh2Ga2  Ce3Rh2Ge2  磁化率 晶场效应

分 类 号:O482.5]

参考文献:

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同被引文献:

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