期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]教育部碳资源综合利用开放实验室,大连116012 [2]大连理工大学传感器研究所
基 金:国家自然科学基金
年 份:1999
卷 号:18
期 号:6
起止页码:1-3
语 种:中文
收录情况:CSCD、CSCD2011_2012、普通刊
摘 要:半导体纳米粒子应用于气敏材料是一新兴的研究领域,综述了SnO2 半导体超细化处理的研究进展。对各种制备方法作了详细描述,控制材料粒径的大小及粒度的分布、保证纳米团簇的稳定存在是纳米SnO2 制备的关键;分析了纳米SnO2 半导体材料的气敏特性,由于材料的比表面积增大、活性位增多,而具有着优异的气敏性能;并对其应用前景做出了进一步的展望。
关 键 词:二氧化锡 纳米材料 气敏特性
分 类 号:TN304.21]
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