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期刊文章详细信息

纳米SnO_2的制备及其气敏特性分析    

Preparation of Nanometre SnO_2 and Its Gas Sensing Property Analysis

  

文献类型:期刊文章

作  者:张义华[1] 王学勤[1] 王祥生[1] 牛德芳[2]

机构地区:[1]教育部碳资源综合利用开放实验室,大连116012 [2]大连理工大学传感器研究所

出  处:《传感器技术》

基  金:国家自然科学基金

年  份:1999

卷  号:18

期  号:6

起止页码:1-3

语  种:中文

收录情况:CSCD、CSCD2011_2012、普通刊

摘  要:半导体纳米粒子应用于气敏材料是一新兴的研究领域,综述了SnO2 半导体超细化处理的研究进展。对各种制备方法作了详细描述,控制材料粒径的大小及粒度的分布、保证纳米团簇的稳定存在是纳米SnO2 制备的关键;分析了纳米SnO2 半导体材料的气敏特性,由于材料的比表面积增大、活性位增多,而具有着优异的气敏性能;并对其应用前景做出了进一步的展望。

关 键 词:二氧化锡 纳米材料 气敏特性

分 类 号:TN304.21]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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