期刊文章详细信息
面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置
High Concentration Ozone Generator Being geared to the Needs of Cleaning Technology for Silicon Wafer
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]大连海事大学环境工程研究所,辽宁大连116026 [2]大连大学环境与化学工程学院,辽宁大连116622 [3]大连博羽环保技术开发有限公司,辽宁大连116026
基 金:国家863项目(2008AA06Z317);国家自然科学基金项目(20778028)
年 份:2011
卷 号:40
期 号:7
起止页码:14-16
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:近来特大规模集成电路研发与生产的快速进展,硅片表面清洗至关重要。因此大连海事大学环境工程研究所采用强电离放电方法(折合电场强度达到380 Td,电子具有平均能量达到9 eV)研发成功国内首台具有知识产权dhO3g型系列高浓度臭氧产生器,其臭氧浓度达到240 mg/L。该装置具有自动化水平高,能耗低、体积小、高性价比等特点,并阐述了该装置的技术先进性及其技术指标。
关 键 词:臭氧 硅片清洗:强电离放电 性价比
分 类 号:TN305]
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