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期刊文章详细信息

面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置    

High Concentration Ozone Generator Being geared to the Needs of Cleaning Technology for Silicon Wafer

  

文献类型:期刊文章

作  者:白敏菂[1] 冷宏[2,3] 李超群[1,3]

机构地区:[1]大连海事大学环境工程研究所,辽宁大连116026 [2]大连大学环境与化学工程学院,辽宁大连116622 [3]大连博羽环保技术开发有限公司,辽宁大连116026

出  处:《电子工业专用设备》

基  金:国家863项目(2008AA06Z317);国家自然科学基金项目(20778028)

年  份:2011

卷  号:40

期  号:7

起止页码:14-16

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:近来特大规模集成电路研发与生产的快速进展,硅片表面清洗至关重要。因此大连海事大学环境工程研究所采用强电离放电方法(折合电场强度达到380 Td,电子具有平均能量达到9 eV)研发成功国内首台具有知识产权dhO3g型系列高浓度臭氧产生器,其臭氧浓度达到240 mg/L。该装置具有自动化水平高,能耗低、体积小、高性价比等特点,并阐述了该装置的技术先进性及其技术指标。

关 键 词:臭氧 硅片清洗:强电离放电  性价比

分 类 号:TN305]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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