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磁控溅射制备的W,WSi_2,Si单层膜和W/Si,WSi_2/Si多层膜应力 ( EI收录)
Stress analysis of W,WSi_2,Si single layers and W/Si,WSi_2/Si multilayers fabricated by magnetron sputtering
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]同济大学物理系,精密光学工程技术研究所,上海200092 [2]上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092 [3]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900
基 金:国家自然科学基金项目(10773007,10704056);科技部国际交流与合作专项项目(2008DFA01920)
年 份:2011
卷 号:23
期 号:6
起止页码:1659-1662
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20113014176660)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜。利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值。结果表明:W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力。WSi2单层膜和WSi2/Si周期多层膜均表现为压应力,没有应力突变,应力特性最为稳定。因此,WSi2/Si材料组合是研制大膜对数X射线多层膜较好的材料组合。
关 键 词:应力 形变 多层膜 磁控溅射 X射线
分 类 号:O434.1]
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