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期刊文章详细信息

磁控溅射制备的W,WSi_2,Si单层膜和W/Si,WSi_2/Si多层膜应力  ( EI收录)  

Stress analysis of W,WSi_2,Si single layers and W/Si,WSi_2/Si multilayers fabricated by magnetron sputtering

  

文献类型:期刊文章

作  者:黄秋实[1,2] 李浩川[1,2] 朱京涛[1,2] 王晓强[1] 蒋励[1] 王占山[1,2] 唐永建[3]

机构地区:[1]同济大学物理系,精密光学工程技术研究所,上海200092 [2]上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092 [3]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900

出  处:《强激光与粒子束》

基  金:国家自然科学基金项目(10773007,10704056);科技部国际交流与合作专项项目(2008DFA01920)

年  份:2011

卷  号:23

期  号:6

起止页码:1659-1662

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20113014176660)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜。利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值。结果表明:W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力。WSi2单层膜和WSi2/Si周期多层膜均表现为压应力,没有应力突变,应力特性最为稳定。因此,WSi2/Si材料组合是研制大膜对数X射线多层膜较好的材料组合。

关 键 词:应力 形变  多层膜  磁控溅射 X射线  

分 类 号:O434.1]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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