文献类型：期刊文章

作　　者：周国清[1] 徐科[1] 邓佩珍[1] 徐军[1] 周永宗[1] 干福熹[1] 朱人元[2]

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所 [2]美国加州理工学院

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金："863"计划新材料领域资助!项目;编号:Z35 -1B.

年　　份：1999

卷　　号：27

期　　号：6

起止页码：727-733

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ） 生长了１１０ ｍ ｍ ×８０ ｍ ｍ 的蓝宝石单晶，应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况，发现在晶体放肩处的（１１２０） 面位错密度约为１０４ ｃｍ － ２ 量级，等径生长过程中靠近晶体中心处（０００１） 面位错密度为（３ ～４） ×１０３ｃｍ －２ ，靠近坩埚壁处（０００１） 面晶体位错密度为（５ ～６） ×１０３ｃｍ －２ ． 用同样方法分析了提拉法（Ｃｚ） 生长的５０ ｍｍ ×８０ ｍ ｍ 蓝宝石晶体的位错． 相比而言，ＴＧＴ法生长的Ａｌ２Ｏ３ 位错密度比Ｃｚ 法的Ａｌ２Ｏ３ 晶体低得多，约低一个数量级，ＴＧＴ 法可以生长大尺寸、高完整性的Ａｌ２Ｏ３ 晶体，这与ＴＧＴ 法的特殊生长工艺有密切关系．

关 键 词：温度梯度法 氧化铝  位错 腐蚀坑 晶体生长 晶体

分 类 号：O772] O614.31