文献类型：期刊文章

作　　者：牛银菊[1] 葛卫清[2] 罗诗裕[3] 邵明珠[3] 吴木营[3] 熊金志[1]

机构地区：[1]东莞理工大学计算机学院,广东东莞523808 [2]华南理工大学机械与汽车工程学院,广州510640 [3]东莞理工大学电子工程学院,广东东莞523808

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(10947140);广东省自然科学基金项目(10451170003004948);东莞市科技计划项目(2008108101002)

年　　份：2011

卷　　号：32

期　　号：3

起止页码：366-368

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在经典力学框架内和Seeger方程基础上,引入正弦平方势,把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程。导出了弯结的形成能、弯结宽度、密度以及系统的激活能和弯结对的临界距离等物理量。指出位错在滑移面内的运动可视为弯结沿位错线的迁移与垂直方向的势垒翻越组成。

关 键 词：超晶格 位错 弯结  形成能 激活能

分 类 号：O369]