期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]信息产业部电子第四十六研究所,300192
年 份:1999
卷 号:14
期 号:4
起止页码:114-117
语 种:中文
收录情况:CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、ZGKJHX、普通刊
摘 要:本文分别介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓(GaAs),氮化镓(GaN),锑化镓(GaSb)的特性、生长方 法,国内外研究水平及应用。
关 键 词:Ⅲ-Ⅴ族化合物 生长方法 半导体材料 镓
分 类 号:TN304.23]
参考文献:
正在载入数据...
二级参考文献:
正在载入数据...
耦合文献:
正在载入数据...
引证文献:
正在载入数据...
二级引证文献:
正在载入数据...
同被引文献:
正在载入数据...