文献类型：期刊文章

作　　者：刘文强[1] 仝亮[1] 徐岭[1] 刘妮[1] 杨菲[1] 廖远宝[1] 刘东[1] 徐骏[1] 马忠元[1] 陈坤基[1]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院,南京微结构国家实验室,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60976001和50872051);国家自然科学基金重点资助项目(61036001);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20090091110010);江苏省国际科技合作计划资助项目(BZ2010068);国家重点基础研究发展规划资助项目(2007CB935401和2007CB613401)

年　　份：2011

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：310-314

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用磁控溅射方法制备了Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5两种相变存贮材料的薄膜。原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变。由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4结晶更快。原位变温电阻测量的结果显示,在相同的升温速率下,Ge_2Sb_2Te_5的热致晶化速率更快。而且Ge_2Sb_2Te_5非晶态与晶态的电阻差值更高。故Ge_2Sb_2Te_5比Ge_1Sb_2Te_4更适合作为相变存储器的材料。另外,对两种薄膜的电学输运性质进行了研究,霍尔效应的测量表明,Ge_1Sb_2Te_4材料电导的变化是迁移率和载流子浓度共同作用的结果,而Ge_2Sb_2Te_5材料电导的变化主要是由于载流子浓度的变化引起。

关 键 词：相变存贮材料  Ge_1Sb_2Te_4  Ge_2Sb_2Te_5  

分 类 号：TN304] O484.4]