文献类型：期刊文章

作　　者：江跃珍[1] 段兴凯[2] 宗崇文[2] 侯文龙[1]

机构地区：[1]九江学院电子工程学院,江西九江332005 [2]九江学院机械与材料工程学院新能源材料研究中心,江西九江332005

出　　处：《热加工工艺》

基　　金：江西省教育厅科技资助项目(GJJ11625);2010九江学院大学生自主创新性实验项目(10XSCXXSY26)

年　　份：2011

卷　　号：40

期　　号：12

起止页码：74-76

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用真空熔炼法合成(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800 nm的Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3热电薄膜。利用X射线衍射技术对薄膜的相结构进行表征;采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度;采用四探针法和温差电动势法分别测量薄膜的电阻率和Seebeck系数;采用薄膜的电阻率和Seebeck系数Sn掺杂浓度对(Bi1-xSnx)2Te2.7Se0.3薄膜热电性进行分析。结果表明,Sn掺杂浓度为0.003时,热电功率因子提高到12.8μW/K2.cm;Sn掺杂浓度从0.004增加到0.01,薄膜为P型半导体,热电功率因子减小。

关 键 词：真空熔炼 热蒸发 Sn掺杂  薄膜  热电性能

分 类 号：TB34[材料类]