文献类型：期刊文章

作　　者：席保锋[1] 俞秉莉[1] 屠德民[1] 吴洪才[2]

机构地区：[1]西安交通大学电气工程系 [2]西安交通大学电子工程系

出　　处：《西安交通大学学报》

基　　金：国家自然科学基金项目86050399

年　　份：1990

卷　　号：24

期　　号：1

起止页码：41-46

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：离子注入导电聚合物在电子和电气工程中有着巨大的潜在应用价值.正确使用其导电性,不仅应查明电导机理,而且应了解使用这种导体给连接器件带来的影响,迄今后者尚未引起人们的注意.本文以聚酯为试样,经不同剂量 As 离子注入后,研究了薄膜的导电和介电性能,试验结果表明,电导的机理是导电微粒之间的隧道效应,电导率的温度关系可用σ=σ。exp(-b/T^(1/2))表示;离子注入聚酯薄膜的介质损耗具有松驰特性,损耗角正切的最大值达到0.45,松驰频率随着离子注入剂量的增加而增加.最后作者以等效电路和电子迁移速度分别讨论了松弛损耗的机理.

关 键 词：高聚物 导电 离子注入 薄膜  介电

分 类 号：O631.23]