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电极/溶液界面单分子吸附层的统计力学处理 Ⅱ.汞/水溶液界面的内层微分电容
STATISTICAL MECHANICAL TREATMENT OF ABSORBED MONOLAYER AT ELECTRODE/SOLUTION INTERFACE Ⅱ. The Inner-Layer Differential Capacity of Hg/Aqueous Solution Interface
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]厦门大学化学系 [2]厦门大学计算中心
基 金：国家自然科学基金
年 份：1990
卷 号：6
期 号：5
起止页码：575-579
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：按文[1]模型,模拟计算汞/水溶液界面五个不同温度的内层微分电容随表面电荷变化曲线.结果表明,文[1]处理方法对此类体系仍可成立.指出在溶液的冰点附近,吸附层上的水分子有可能以氢键缔合的方式连结并构成局部有序排列.温度升高,即趋无规分布状态。
关 键 词：汞电极 内层微分电容 水溶液
分 类 号：O646]
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