期刊文章详细信息
GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性
PHOTOLUMINESCENCE OF GaAs/AlGaAs MQW METERIAL GROWN BY MOCVD
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]山东大学物理系 [2]山东大学光电所 [3]济南二轻中专 [4]济南半导体元件实验所
年 份：1999
卷 号：34
期 号：1
起止页码：53-57
语 种：中文
收录情况：CSCD、CSCD2011_2012、ZMATH、普通刊
摘 要：采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为υ＝９６００ｃｍ－１，１２０２０ｃｍ－１，１２２４０ｃｍ－１，１２５５０ｃｍ－１和１３０７０ｃｍ－１。
关 键 词：多量子阱 光致发光 半导体 砷化镓 镓铝砷化合物
分 类 号：TN304.2] O472.3]
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