文献类型：期刊文章

作　　者：陈光华[1,2]

机构地区：[1]兰州大学电子材料研究所 [2]北京工业大学应用物理系,北京100022

出　　处：《兰州大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：35

期　　号：3

起止页码：22-26

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2000045119199)、JST、MR、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：主要介绍了研究所近２０ 年来在新型薄膜半导体材料的制备、结构及特性研究方面所取得的成就，尤其是对非晶硅碳和非晶硅锗（ ａ  Ｓｉ Ｃ∶ Ｈ 和ａ  Ｓｉ Ｇｅ∶ Ｈ）薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼（ ｃ  Ｂ Ｎ）薄膜、β Ｃ３ Ｎ４ 薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果，不少工作已达到国际先进水平，发表论文３００

关 键 词：半导体薄膜 立方氮化硼薄膜 非晶硅 制备  结构  

分 类 号：TN304.055] O484.1]