文献类型：期刊文章

作　　者：薄占满[1]

机构地区：[1]天津大学材料系

出　　处：《无机材料学报》

年　　份：1990

卷　　号：5

期　　号：4

起止页码：324-329

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：测量了650～1200℃范围内烧成的掺杂 Sb_2O_3的 SnO_2样品的电阻率。实验表明,随样品烧成温度的提高,样品的电阻率下降。X 射线物相分析指出,在650～1000℃烧成的样品,Sb_2O_3完全转变成了 Sb_2O_4,1100℃烧成的样品大部分为 Sb_2O_4,而1200℃烧成的样品几乎全为 Sb_2O_3。对于不同温度下烧成的样品作了精密晶胞参数测定,结果表明,在半密封条件下,650～1100℃使 Sn_O_2半导化的是 Sb_2O_4中的 Sb^(5+),在1200℃使 SnO_2半导化的是 Sb^(5+)和双电离的氧空位 V。(?)。

关 键 词：半导体 二氧化锡 陶瓷 导电

分 类 号：TN304.82]