文献类型：期刊文章

作　　者：杨大江[1] 姚振华[1] 朱长纯[1] 白继彬[2] 张昌利[2]

机构地区：[1]西安交通大学,西安710049 [2]西安电力电子技术研究所,西安710061

出　　处：《电力电子技术》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1999

卷　　号：33

期　　号：5

起止页码：55-57

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍ ｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ） 的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ 技术的基础上，采用硬驱动技术，集成其门极驱动电路和反并联二极管，省去了吸收电路，兼具ＧＴＯ 导通损耗低和ＩＧＢＴ 关断均匀的特点。由于其开关频率高，易于串联，故适合在中电压大功率领域使用。

关 键 词：功率器件 晶闸管 电力电子器件 设计  

分 类 号：TN340.2]