登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

半导体PN结器件瞬态行为一维模拟    

A numerical one-dimensional modelling of the p-n junction devices

  

文献类型:期刊文章

作  者:余稳[1] 聂建军[1]

机构地区:[1]常德师范学院电磁理论研究所,湖南常德415000

出  处:《吉林化工学院学报》

年  份:1999

卷  号:16

期  号:3

起止页码:49-52

语  种:中文

收录情况:CAS、RCCSE、普通刊

摘  要:用时域有限差分( F D T D) 方法对 P N 结器件所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组进行了数值计算,得到了半导体 P N 结器件的瞬态行为的一维模拟.

关 键 词:半导体器件 瞬态模拟 PN结器件  数值模拟

分 类 号:O475] TN305[物理学类]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心