文献类型：期刊文章

作　　者：祝俐[1] 张怀金[1] 孟宪林[1] 张宏臻[1] WangChangqing[2] Y.T.Chow[2] WangPu[3] JudithDawes[3]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室晶体材料研究所,济南250100 [2]DepartmentofElectronicEngineering [3]CentreforLasersandApplicationsMacquaireUniversity

出　　处：《人工晶体学报》

年　　份：1999

卷　　号：28

期　　号：3

起止页码：229-232

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文报道了用 Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ 方法生长 Ｎｄ∶ Ｇｄ Ｖ Ｏ４ 晶体，测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱，表明晶体在８０８ ．５ｎｍ 有吸收峰，其发射波长在１０６４ｎｍ 。晶体中掺 Ｎｄ 浓度的原子分数为１ ．５６ ％ 的 Ｎｄ∶ Ｇｄ Ｖ Ｏ４ 的４ Ｆ３／２ 荧光寿命为１００μｓ 。用激光二极管泵浦１ｍ ｍ 厚的 Ｎｄ∶ Ｇｄ Ｖ Ｏ４ 晶体，得到了超过１ Ｗ１０６４ｎｍ 的输出光，泵浦阈值为２０ｍ Ｗ，光光转换效率为５５ ．９ ％ ，斜效率为６３ ％ 。

关 键 词：GDVO4晶体 激光晶体 引上法 晶体生长 钕 钆  

分 类 号：O782] TN244.06]