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低能Ar^+轰击对GaAs、Al_(x)Ga_(1-X)As表面成分的影响
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]航空航天部兰州物理研究所
年 份：1990
期 号：4
起止页码：23-27
语 种：中文
收录情况：SCOPUS、普通刊
摘 要：低能离子溅射半导体表面会引起表面结构和成分的变化,导致器件电学性能变差。本文用俄歇电子谱研究了轰击离子能量和束流密度对GaAs、Al_xGa_(1-x)As表面成分的影响。实验分析表明,离子轰击导致GaAs表面As元素严重贫乏和Al_xGa_(1-x)As表面Al元素强烈偏析和Ga元素的轻微减小。我他对离子轰击后GaAs Al_xGa_(1-x)As的表面成分分析结果与文献值不同。实验结果同时说明,GaAs与Al_xGa_(1-x)As中离子溅射行为有较大的差别,我们对此进行了初步讨论,并将实验结果与理论模型进行了比较,发现实验与理论之间不能很好一致。
关 键 词：Ar^+轰击 半导体材料 GAAS
分 类 号：TN305.2]
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