文献类型：期刊文章

作　　者：高栋[1] 张跃[1] 许春来[2] 宋扬[2] 石晓斌[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学材料科学与工程学院空天材料与服役教育部重点实验室,北京100191 [2]先进功能复合材料技术国防科技重点实验室,北京100076

出　　处：《无机材料学报》

年　　份：2011

卷　　号：26

期　　号：4

起止页码：433-437

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：20112114006743)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000290288400017)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000290288400017)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了ZrB2-20vol%SiC超高温陶瓷在空气气氛中的氧化行为,分析了氧化温度、氧分压和氧化时间等对硅酸锆形成和晶体生长过程的影响,提出了ZrB2-SiC超高温陶瓷氧化过程中硅酸锆相的形成机制.热力学计算结果表明,硅酸锆相的形成与高温下SiC的活性氧化有关.实验结果表明,常压氧化过程中,硅酸锆的形成可分为两个阶段,(I)形核,这一过程与SiC的活性氧化有关;(II)晶体生长,随着氧化时间的延长,氧化后形成的富硅玻璃相与氧化锆在硅酸锆晶核处反应,晶粒进一步长大.研究表明,在1500℃氧化90min后,硅酸锆的晶粒尺寸达到100μm左右.

关 键 词：硼化锆 碳化硅  硅酸锆 活性氧化  

分 类 号：TQ174]