文献类型：期刊文章

作　　者：丁建旭[1] 刘冰[2] 王圣来[1] 牟晓明[3] 顾庆天[1] 许心光[1] 孙洵[1] 孙云[1] 刘文洁[1] 刘光霞[1] 朱胜军[1]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [2]山东科学院新材料研究所,济南250014 [3]中国兵器工业第52研究所烟台分所,烟台264003

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(50721002);新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0526)~~

年　　份：2011

卷　　号：26

期　　号：4

起止页码：354-358

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000290288400003)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000290288400003)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用快速法生长了掺杂不同Cr3+浓度的KDP晶体,测试了KDP晶体(100)面在不同Cr3+掺杂浓度下的生长速度及死区,表征了Cr3+掺杂的KDP晶体的Cr3+元素分布、透过光谱、散射颗粒分布和光损伤阈值.实验表明Cr3+易吸附在晶体(100)面,从而增大了(100)生长死区,并降低了(100)面生长速度.Cr3+使快速生长的晶体产生柱、锥面生长区分界线.元素分析表明Cr3+更容易通过柱面生长进入晶体,从而导致晶体在可见光波段及紫外波段透过率的降低,最明显的是在220、450和650 nm三处吸收峰的出现.Cr3+进入晶体后使晶体中散射颗粒增多,基频和三倍频脉冲激光照射下晶体的损伤阈值随Cr3+掺杂浓度的增加而降低,且柱面区的损伤阈值要低于锥面区的损伤阈值.

关 键 词：快速生长  KDP晶体 生长习性 光学性能 掺杂

分 类 号：O781]