文献类型：期刊文章

作　　者：黄志强[1] 徐政[1] 倪宏伟[2] 张月蘅[1]

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院微电子材料研究所,上海200092 [2]江苏无锡总参工程兵科研一所,江苏无锡214035

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金!59372109

年　　份：1999

卷　　号：30

期　　号：5

起止页码：500-502

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：运用干－湿－干高温热氧化工艺，在4种不同掺杂类型的单晶硅基片上，制备成功非晶态SiO2薄膜驻极体。恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（TSD）实验表明，不同类型基片的SiO2薄膜其电荷动态特性差异较大，基片的掺杂成份和掺杂浓度直接影响其上二氧化硅驻极体的性能，电荷储存稳定性随着掺杂浓度的增大而有所下降，TSD放电电流峰的形状与位置也会随着掺杂成份和浓度的变化而改变。分析表明，造成这一现象的原因在于：掺杂成份在热氧化时通过扩散从基片进入SiO2薄膜，改变了其内部微观网络结构，进而影响其电荷贮存特性。这一点为进一步探索SiO2薄膜驻极体的电荷贮存机制提供了有益的启示。

关 键 词：薄膜  驻极体 电荷贮存  二氧化硅 基片掺杂  

分 类 号：O484.41]