文献类型：期刊文章

作　　者：罗子江[1,2] 周勋[1,3] 杨再荣[1] 贺业全[1] 何浩[1] 邓朝勇[1] 丁召[1]

机构地区：[1]贵州大学理学院,贵州贵阳550025 [2]贵州财经学院教育管理学院,贵州贵阳550004 [3]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60866001);贵州省委组织部高层人才科研特助资助项目(Z073011;TZJF-2008-31);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-08-0651);贵州省科技厅基金资助项目(Z073085);贵州大学博士基金资助项目(X060031);贵州省优秀科技教育人才省长专项基金资助项目(黔省专合字(2009)114号)

年　　份：2011

卷　　号：42

期　　号：5

起止页码：846-849

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20112514079077)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。

关 键 词：MBE RHEED STM InGaAs异质薄膜  

分 类 号：TN3] O47]