文献类型：期刊文章

作　　者：唐海燕[1] 陈恒杰[1] 程新路[2] 周学平[3]

机构地区：[1]重庆科技学院数理学院,重庆401331 [2]四川大学原子与分子物理研究所,成都610065 [3]国家知识产权局专利审查协作中心,北京100190

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10676025)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：5

起止页码：244-249

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000291239700037)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用运动方程单双取代耦合团簇理论(EOM-CCSD)对XF3(X=N,P,As)的价层垂直离势(VIP)进行了系统计算,同时对称匹配团簇组态相互作用(SAC-CI)、外价层格林函数(OVGF)以及部分三阶近似(P3)方法也被应用到目前计算.与已有的实验结果比较表明EOM-CCSD计算的价层垂直电离势整体上与SAC-CI结果相近,而优于OVGF和P3理论结果,在整个价层上,EOM-CCSD结果与实验值总体差距约0.2eV,在外价层这种差距相对较小,在内价层则有所增大.随基组增大EOM-CCSD计算得到的第一电离势与实验值差距迅速减小,约0.03eV.根据SAC-CI,OVGF,P3和EOM-CCSD对NF3和PF3计算结果,判断AsF3第一电离势约为12.8eV,而非12.3eV,同时给出AsF3的价层电离势依次为12.64,15.23,16.30,17.37,18.05,21.98eV.

关 键 词：XF3(X=N,P,As)  垂直电离势 运动方程耦合团簇理论  

分 类 号：O641.1]