期刊文章详细信息
并联MOSFET的雪崩特性分析
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京半导体器件五厂,北京100015
年 份：2011
卷 号：13
期 号：4
起止页码：3-6
语 种：中文
收录情况：IC、内刊
摘 要：文中给出了准动态热模型中的一个雪崩扩展特性,深入研究了电流及热分布对于并联功率MOSFET在雪崩条件下的状态。同时分析了击穿电压的统计分布、热损毁的统计分布、终端杂散电感的影响以及热耦合对最终的电气特性和并联器件的热平衡的影响,设计时考虑了这些因素,可以提高可靠性。文中的结论可以为设计师们在大功率MOSFET器件并联应用方面提供有效的指导。
关 键 词：准动态MOSFET模型 雪崩 杂散电感 击穿电压
分 类 号：TN386.1]
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