文献类型：期刊文章

作　　者：董清臣[1] 贾彩虹[1] 张伟风[1]

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室,河南开封475004

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.60976016)

年　　份：2011

卷　　号：30

期　　号：5

起止页码：18-22

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用脉冲激光沉积法在SnO2:F(FTO)衬底上制备了单一c轴取向生长的ZnO和ZnO:Cu薄膜,并对具有Au/ZnO/FTO和Au/ZnO:Cu/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试。结果显示:两种器件在室温电场作用下均显示出双极可逆变阻特性;Cu掺杂使ZnO薄膜的开关比大幅增加,电流–电压曲线拟合结果显示这是由Schottky结界面机制产生的高低阻态引起的。

关 键 词：电阻开关 脉冲激光沉积 铜掺杂氧化锌  Schottky结界面势垒  

分 类 号：O484.4]