文献类型：期刊文章

作　　者：丁宏林[1,2] 岳云峰[1] 顾拥军[1] 陈坤基[2]

机构地区：[1]紫琅职业技术学院机电工程系,江苏南通226002 [2]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90301009;60571008);国家重大科学研究计划项目(2006CB932202);紫琅职业技术学院教育科研项目(2010003)

年　　份：2011

卷　　号：41

期　　号：2

起止页码：274-278

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非挥发性存储器的研究中最有可能成为未来快闪存储器的候选者之一。文章论述了纳米硅单电子存储器的工作原理、研究现状及发展趋势。

关 键 词：单电子存储器 纳米硅 快闪存储  浮置栅  

分 类 号：TN303]