文献类型：期刊文章

作　　者：张玉明[1] 张义门[1] 罗晋生[2]

机构地区：[1]西安电子科学大学微电子所,西安710071 [2]西安交通大学微电子工程系,西安710049

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国防预研基金

年　　份：1999

卷　　号：20

期　　号：11

起止页码：1040-1043

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ 型６ＨＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析，ＩＶ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为１２３，肖特基势垒高度为１０３ｅＶ，开启电压约为０５Ｖ．

关 键 词：肖特基势垒 二极管 碳化硅 研制  

分 类 号：TN311.7]