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期刊文章详细信息

电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏  ( EI收录)  

THE CURRENT MODE DESTROY OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY ELECTROMAGNETIC PULSE

  

文献类型:期刊文章

作  者:余稳[1] 蔡新华[1] 黄文华[2] 刘国治[2]

机构地区:[1]常德师范学院电磁理论研究所 [2]西北核技术研究所

出  处:《强激光与粒子束》

基  金:国家863激光技术领域资助课题

年  份:1999

卷  号:11

期  号:3

起止页码:355-358

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1996、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:利用时域有限差分(FDTD)方法,对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟,得到了无负载半导体pn结器件在快前沿(ns量级)电磁脉冲作用下的瞬态行为。

关 键 词:电磁脉冲 半导体器件 电流模式 时域有限差分

分 类 号:TN306]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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