文献类型：期刊文章

作　　者：刘凡宇[1] 刘衡竹[1] 刘必慰[1] 梁斌[1] 陈建军[1]

机构地区：[1]国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所,长沙410073

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金重点项目(批准号:60836004);国家自然科学基金(批准号:61006070)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：4

起止页码：461-468

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000289863100075)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享.这一结论可用于指导电荷共享的加固.

关 键 词：电荷共享 单粒子效应 p+深阱掺杂  双极晶体管效应  

分 类 号：TN386.5]