文献类型：期刊文章

作　　者：王殿学[1]

机构地区：[1]辽东学院机电学院,辽宁丹东118003

出　　处：《辽东学院学报（自然科学版）》

基　　金：辽宁省教育厅科研项目(2009A266)

年　　份：2010

卷　　号：17

期　　号：4

起止页码：317-320

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSA-PROQEUST、IC、JST、普通刊

摘　　要：文章利用NIMultisim 10仿真软件对蔡氏电路中的混沌现象进行了计算机仿真研究,并且把蔡氏电路中的相图与非线性电阻的伏安曲线进行对比研究,给出电路出现混沌现象时与电路中非线性电阻伏安曲线的对应关系,以及电路中电阻的取值范围。仿真实验结果表明:当电阻R在1.486～1.890 kΩ时,电路中出现双螺旋吸引子的混沌现象,且R取不同值,图形形状有所不同。此时,电路处于正常振荡状态。R在1.890～1.960 kΩ之间,电路出现单吸引子混沌现象,且单吸引子在每次测量时,可能左右位置不同。由此得出结论:当非线性电阻阻值、电感量及电容容量固定时,电路中UA、UB两个信号的相图与电阻R取值有关,且电阻微小变化会引起相图较大变化。

关 键 词：混沌 蔡氏电路 非线性电阻 计算机仿真

分 类 号：TM132]