文献类型：期刊文章

作　　者：黄平[1,2] 李婧[1,2] 梁建[1,3] 赵君芙[1,3] 马淑芳[1,3] 许并社[1,3]

机构地区：[1]太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024 [2]太原理工大学物理系,太原030024 [3]太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(51072128)资助项目;山西省高等学校科技项目(20080012);山西省回国留学人员科研资助项目(2008-37);山西省回国留学人员重点资助项目(2009-03)

年　　份：2011

卷　　号：40

期　　号：1

起止页码：60-65

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111513910360)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。

关 键 词：电化学沉积 CDSE薄膜 禁带宽度 沉积电压

分 类 号：O484]