文献类型：期刊文章

作　　者：汤儆[1] 田晓春[1] 周富庆[1] 刘跃强[1] 林建航[2]

机构地区：[1]福州大学化学化工学院,食品安全分析与检测教育部重点实验室,福州350108 [2]福州大学测试中心,福州350002

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(20873112);国家光电子晶体材料工程技术研究中心开放课题(2005DC105003)资助项目~~

年　　份：2011

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：641-646

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000288005200020)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000288005200020)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.

关 键 词：氧化铟锡导电玻璃  金纳米粒子 电沉积 成核机理

分 类 号：TB43]