期刊文章详细信息
金刚石-铜复合薄膜热沉基底 ( EI收录)
Diamond\|Copper Bilayer Films as Heat Sinks
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]清华大学物理系,北京100084 [2]基辅大学物理系,基辅252022
出 处：《Journal of Semiconductors》
年 份：1999
卷 号：20
期 号：9
起止页码：823-826
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文介绍用ＣＶＤ法在铜的基底上合成金刚石薄膜，并获得金刚石－铜复合材料的方法，测量了金钢石－铜复合薄膜电阻与温度的关系．得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为０．７～２．５ｅＶ，多晶金刚石薄膜的禁带宽度为２．６～３．１ｅＶ。
关 键 词：CVD法 铜 金刚石薄膜 合成
分 类 号：TN304.18]
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