文献类型：期刊文章

作　　者：周继承[1]

机构地区：[1]长沙铁道学院材料研究所

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金;霍英东青年教师基金

年　　份：1999

卷　　号：30

期　　号：4

起止页码：372-374

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2000215122111)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用Ｓｉ＋／Ｂ＋、Ａｒ＋／Ｂ＋双注入结合快速热退火技术制备出了较浅的ｐ＋ｎ结，用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋或Ａｒ＋预非晶化离子注入的作用。结果表明，适当条件的Ｓｉ＋预非晶化注入能有效地抑制硼原子的沟道效应，用Ｓｉ＋／Ｂ＋双注入制备出了高硼原子电激活率的Ｐ＋薄层，且电性能优良，残留二次缺陷少，ｐ＋ｎ结二极管反偏漏电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ２（－１．４Ｖ）；而Ａｒ＋注入虽然也能抑制硼原子注入沟道效应，但它使注入硼原子电激活率低，制得的Ｐ＋薄层性能差。

关 键 词：离子预非晶化  双离子注入  快速热退火 p^+n结性能  

分 类 号：TN405]