文献类型：期刊文章

作　　者：王雄[1] 才玺坤[1] 原子健[1] 朱夏明[1] 邱东江[1] 吴惠桢[1]

机构地区：[1]浙江大学物理学系,硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10974174);国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2011CB925603);浙江省自然科学基金(批准号:Z6100117,Y4080171)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：3

起止页码：626-629

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000288925700093)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO2薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT),器件的场效应迁移率最高达到μn=9.1cm2/(V·s),阈值电压-2V,电流开关比为104.

关 键 词：氧化锌锡  薄膜晶体管 场效应迁移率

分 类 号：TN321.5]