文献类型：期刊文章

作　　者：董雅娟[1] 张俊兵[1] 林岳明[2] 金豫浙[1] 王书昶[1] 曾祥华[1]

机构地区：[1]扬州大学物理科学与技术学院,江苏扬州225002 [2]扬州华夏集成光电有限公司,江苏扬州225009

出　　处：《半导体技术》

基　　金：江苏省科技项目资助项目(BG2007026)

年　　份：2011

卷　　号：36

期　　号：3

起止页码：177-181

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析。结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升。对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20 mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37 000 h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优。

关 键 词：GAN 电极形状  发光二极管 寿命  光电性能

分 类 号：TN312.8] TN304.23