文献类型：期刊文章

作　　者：杨燕[1,2] 俞敦和[1,2] 吴姚芳[1,2] 侯霞[1,2]

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 [2]上海市全固态激光器与应用技术重点实验室,上海201800

出　　处：《中国激光》

年　　份：2011

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：24-29

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111413898594)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研制了一种新型窄脉冲半导体激光器的驱动电源,包括驱动电路和温控电路两部分。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作开关,为激光器提供一个重复频率高（0~50 kHz）、前沿快（2.2~4.9 ns）、脉宽窄（4.6~12.1 ns）、脉冲峰值电流大（0~72.2 A）的脉冲信号,且输出的激光脉冲波形平滑。对不同的激光器,改变电路中电源电压、电阻、电容参数,可获得不同的重复频率、前沿、脉冲宽度、脉冲峰值电流。温控电路采用高精度的比例积分微分（PID）温控,保证了激光器输出功率和中心波长的稳定。此激光器驱动电源不仅可作为一般高速、窄脉冲半导体激光器的驱动电源,也是大能量、窄脉宽的半导体激光器种子光源的理想驱动电源。

关 键 词：半导体激光器 窄脉冲 高速金属氧化物半导体场效应晶体管  温度控制

分 类 号：TN86] TN248.4